王守武， 半导体器件物理学家。1919年3月15日生于江苏苏州。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位，1949年获博士学位。中国科学院半导体研究所研究员、微电子中心名誉主任。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。
1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起，在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中，提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高，成本大为降低。
根据中国科学院发布的消息，著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院微电子研究所名誉所长、中科院院士、我校著名校友王守武先生因病医治无效，于北京时间2014年7月30日16时15分在美国逝世，享年95岁。